Wafer dihasilkan daripada bahan kristal tunggal yang sangat tulen (99.9999999% ketulenan)[2] dan hampir bebas cela.[2] Salah satu proses untuk menghasilkan wafer kristal dikenali sebagai proses Czochralski yang dicipta oleh ahli kimia Poland, Jan Czochralski. Dalam proses ini, jongkong berbentuk silinder semikonduktor monokristal berketulenan tinggi, seperti silikon dan germanium, dihasilkan dengan menarik satu kristal benih dari satu 'leburan'.[3][4] Atom bendasing penyumbang, seperti boron dan fosforus bagi kes silikon, boleh ditambahkan ke dalam bahan intrinsik lebur dalam jumlah yang tepat untuk mengedop kristal itu, lantas menukarkannya kepada semikonduktor ekstrinsik jenis-n atau jenis-p.

Jongkong ini kemudiannya dipotong dengan gergaji wafer (gergaji wayar) dan digilap untuk menghasilkan wafer.[5] Saiz wafer untuk fotovoltaik ialah 100-200 mm2 dan ketebalannya ialah 200-300 μm. Pada masa hadapan, 160 μm akan menjadi piawai ketebalan.[6] Peralatan-peralatan elektronik menggunakan saiz wafer di antara 100-300 mm diameter. (Wafer terbesar pernah dibuat mempunyai diameter 450 mm tetapi belum ada dalam pengeluaran.)